本研究では,わずか原子3層分という究極的に薄い二次元半導体からの発光の偏光状態が持つ「符号」の情報を,動的に伝搬する表面ひずみを用いて長距離輸送し,光で識別することを目的とする.偏光の「符号」のひずみエンジニアリングを開拓し,低消費電力な次世代情報デバイスの実現に向けた研究を行う.
本研究では,わずか原子3層分という究極的に薄い二次元半導体からの発光の偏光状態が持つ「符号」の情報を,動的に伝搬する表面ひずみを用いて長距離輸送し,光で識別することを目的とする.偏光の「符号」のひずみエンジニアリングを開拓し,低消費電力な次世代情報デバイスの実現に向けた研究を行う.